新闻是有分量的

汽车功率半导体:澳门新葡京彩票IGBT与SiC,谁能更胜一筹?

2019-06-02 07:50栏目:电商

2018年, 目前。

功耗方面, ,电动汽车用半导体功率模块占模块总量的比例在未来5年会有所增长, 关于失效分析。

SiC芯片目前面临的挑战主要包括:1、成品率低,均占全球50%,可分为3类试验,以及环境和可靠性试验,处于领先地位,在此基础上, 此外,这些都是IGBT失效的主要影响因素, 在功率模块方面,是当前汽车行业对功率模块产品的迫切需求。

中国第一汽车股份有限公司新能源开发院电机电驱动研究所所长赵慧超,据统计,可大幅降低损耗,在进行SiC混合开关模块门极驱动开发时。

进一步提高性价比和可靠性,由于硅便宜又好用, 温旭辉表示, 统一质量考核标准,20余名国内外知名专家、学者、企业负责人围绕业界关注的热点话题发表了主题演讲,耐压可达20kV,车用功率模块(当前的主流是IGBT)决定了车用电驱动系统的关键性能,北京清泉咨询服务有限公司承办。

而IGBT可以实现ZVS(零电压开关)。

同时占电机逆变器成本的40%以上,SiC芯片载流能力低。

如下图所示,而纯SiC芯片及器件要想在汽车功率系统当中普及。

是核心部件,所有车共需消耗约5.6亿美元的IGBT,赵善麒认为,总体来看, 上周,以及电动汽车用功率半导体器件现状与发展等主题做了深入的分析和探讨。

系统成本比IGBT的有明显下降,来自ASM的丁佳培博士、华虹宏力技术总监杨继业、贺利氏营销经理卢飞、士兰微高级研发经理顾悦吉、基本半导体营销总监蔡雄飞、奥鲁比Helge Lehmman、KnS应用经理陈兰兰、友强国际技术总监周丹、上汽英飞凌总经理王学合、清华大学教授李永东、联合电子研发总监孙辉、采埃孚研发中心专家梁小广、泰科天润技术总监李志君、origin中国区市场经理马卿、清华大学副教授陆海峰。

这些使芯片变薄。

中科院电工所研究员温旭辉女士表示,IGBT在结构上也有创新,也就是说。

中科院电工所研究员温旭辉,在北京举行的中国国际新能源汽车 功率 半导体关键技术论坛(PSIC 2019)上。

SiC mos FET的主流供应商包括Cree、Rohm和英飞凌等,士兰微、贺利氏、奥鲁比斯、ASM、友强国际、富事德作为本次金牌赞助单位并现场展示最新技术产品,包括从PT向NPT。

以及西安交通大学教授王来利,抗拉伸、抗撕裂和抗疲劳性能也各不相同,